Η Samsung παρουσίασε τη νέα γενιά τεχνολογιών μνήμης και αποθήκευσης στο Future of Memory and Storage (FMS), αποκαλύπτοντας λύσεις που υπόσχονται σημαντικά υψηλότερες επιδόσεις και καλύτερη ενεργειακή απόδοση. Ωστόσο, οι μεγαλύτεροι ωφελημένοι δεν θα είναι οι καταναλωτές, αλλά τα data centers και οι υποδομές Τεχνητής Νοημοσύνης.
Η σημαντικότερη ανακοίνωση ήταν η νέα αρχιτεκτονική zHBM, η οποία βασίζεται στη μνήμη HBM και προορίζεται για AI accelerators και data centers. Σε αντίθεση με τις σημερινές υλοποιήσεις, η μνήμη τοποθετείται κάθετα πάνω από τον επιταχυντή AI, αυξάνοντας – σύμφωνα με τη Samsung – την απόδοση έως και οκτώ φορές. Παράλληλα, η νέα τεχνολογία wafer bonding προσφέρει δεκαπλάσια πυκνότητα μνήμης σε σχέση με τη σημερινή HBM5 και έως τριπλάσια ενεργειακή αποδοτικότητα.
Η εταιρεία αποκάλυψε επίσης τη V10 BV-NAND, μια νέα γενιά V-NAND με περισσότερα από 400 επίπεδα κυψελών μνήμης, η οποία αυξάνει την πυκνότητα κατά περίπου 58% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, ενώ βελτιώνει τις επιδόσεις ανάγνωσης, εγγραφής και I/O.
Παράλληλα, παρουσιάστηκαν οι λύσεις zNAND-O για εφαρμογές Edge AI και η LPDDR5X-PIM, η πρώτη LPDDR μνήμη με τεχνολογία Processing-in-Memory, που επιτρέπει την επεξεργασία δεδομένων απευθείας μέσα στη μνήμη για μεγαλύτερη αποδοτικότητα.
Παρότι οι νέες τεχνολογίες ανοίγουν τον δρόμο για τα επόμενα AI συστήματα, δύσκολα θα περάσουν σύντομα στις καταναλωτικές συσκευές. Η αυξημένη ζήτηση για HBM από την αγορά της Τεχνητής Νοημοσύνης συνεχίζει να απορροφά μεγάλο μέρος της παραγωγής των Samsung και SK Hynix, γεγονός που συμβάλλει στη διατήρηση υψηλών τιμών σε laptops, smartphones και άλλο σύγχρονο hardware.
